百道网
 您现在的位置:Fun书 > 中国军工电子工艺技术体系
中国军工电子工艺技术体系


中国军工电子工艺技术体系

作  者:张为民

出 版 社:电子工业出版社

出版时间:2017年01月

定  价:198.00

I S B N :9787121303883

所属分类: 专业科技  >  工业技术  >  武器工业    

标  签:工业技术  武器工业  

[查看微博评论]

分享到:

TOP内容简介

本书针对当前军工电子工艺技术中存在的问题,以科技创新为切入点,按照工艺技术体系框架展开,清晰地论述了军工电子各工艺之间的关系和与武器装备研制的关联。本书涵盖了系统、整机、元器件、信息功能材料工艺及相应的工艺设备,科学总结了军事电子装备研制生产有关的专业工艺技术和工艺管理方法,全面反映了军事电子工业工艺技术的现状、水平和成就。该书图文并茂,数据准确,既有机理方法的描述,又有可操作的工艺技术;既包括了现今应用的工艺技术,又面向了工艺技术的未来发展,实用性很强。该书的发行,正处于“中国制造2025”全面实施的历史进程中,对落实制造强国战略、提高电子信息工艺水平有重要意义。

TOP作者简介

张为民,男,大学毕业后分配到中国电子科技集团公司第54研究所的前身——电子第17研究所从事工艺技术工作;1989年起担任到中国电子科技集团公司第54研究所的工艺研究室副主任;1991年起担任到中国电子科技集团公司第54研究所的工艺研究室主任;2004年8月起开始不担任行政工作,主要从事技术研究工作。

TOP目录

第一篇 概 论
第1章 军用电子产品及其工艺技术2
1.1 军用电子产品2
1.1.1 综合电子信息系统2
1.1.2 军事电子装备2
1.1.3 电子元器件及信息功能材料3
1.2 军工电子工艺技术的内涵与特点5
1.2.1 军工电子工艺技术的内涵5
1.2.2 军工电子工艺技术的特点5
1.3 军工电子工艺技术的地位和作用7
1.3.1 军工电子工艺技术的地位7
1.3.2 军工电子工艺技术的作用8
1.4 军工电子工艺技术的发展历程10
参考文献12
第2章 军工电子工艺技术体系13
2.1 概述13
2.1.1 军工电子工艺技术体系图13
2.1.2 军工电子工艺技术关系13
2.2 军工电子工艺技术体系构成13
2.2.1 信息功能材料制造工艺技术16
2.2.2 电子元器件制造工艺技术16
2.2.3 电气互联技术17
2.2.4 电子整机制造工艺技术19
2.2.5 共用技术22
参考文献22
第二篇 工艺技术在军事电子典型装备中的应用
第3章 典型电子装备制造工艺应用24
3.1 雷达制造工艺24
3.1.1 雷达及其基本组成24
3.1.2 雷达装备工艺技术体系25
3.1.3 雷达关键工艺27
3.2 电子战装备制造工艺32
3.2.1 电子战装备及其基本组成32
3.2.2 电子战装备工艺技术体系33
3.2.3 电子战装备关键工艺35
3.3 通信装备制造工艺43
3.3.1 通信装备及其基本组成43
3.3.2 通信装备工艺技术体系44
3.3.3 通信装备关键工艺44
3.4 导航装备制造工艺50
3.4.1 导航装备及其基本组成50
3.4.2 导航装备工艺技术体系52
3.4.3 导航装备关键工艺54
3.5 数据链装备制造工艺57
3.5.1 数据链装备及其基本组成57
3.5.2 数据链装备工艺技术体系58
3.5.3 数据链装备关键工艺60
3.6 综合电子信息系统制造工艺61
3.6.1 综合电子信息系统及其基本组成61
3.6.2 综合电子信息系统工艺技术体系62
3.6.3 综合电子信息系统关键工艺64
参考文献68
第4章 典型电子元器件制造工艺应用70
4.1 微电子器件制造工艺70
4.1.1 微电子器件及其特点70
4.1.2 微电子器件制造工艺流程76
4.1.3 微电子器件制造工艺技术体系78
4.1.4 微电子器件制造关键工艺78
4.2 光电子器件制造工艺85
4.2.1 光电子器件及其特点85
4.2.2 光电子器件制造工艺流程89
4.2.3 光电子器件制造工艺技术体系95
4.2.4 光电子器件制造关键工艺97
4.3 真空电子器件制造工艺100
4.3.1 真空电子器件及其特点100
4.3.2 真空电子器件制造工艺流程102
4.3.3 真空电子器件制造工艺技术体系104
4.3.4 真空电子器件制造关键工艺106
4.4 MEMS器件制造工艺107
4.4.1 MEMS器件及其特点107
4.4.2 MEMS器件制造工艺流程110
4.4.3 MEMS器件制造工艺技术体系113
4.4.4 MEMS器件制造关键工艺114
4.5 物理电源制造工艺115
4.5.1 物理电源及其特点115
4.5.2 物理电源制造工艺流程116
4.5.3 物理电源制造工艺技术体系117
4.5.4 物理电源制造关键工艺118
4.6 传感器制造工艺118
4.6.1 传感器及其特点118
4.6.2 传感器制造工艺流程121
4.6.3 传感器制造工艺技术体系123
4.6.4 传感器制造关键工艺123
4.7 微系统集成制造工艺124
4.7.1 微系统集成制造及其特点124
4.7.2 微系统集成制造工艺流程127
4.7.3 微系统集成制造工艺技术体系129
4.7.4 微系统集成制造关键工艺130
参考文献132
第三篇 信息功能材料制造工艺技术
第5章 信息功能材料制造工艺技术概述134
5.1 信息功能材料的内涵及特点134
5.2 信息功能材料制造工艺的地位及作用134
5.3 信息功能材料工艺体系框架135
第6章 晶体材料生长技术136
6.1 概述136
6.1.1 晶体材料生长技术体系136
6.1.2 晶体材料生长技术的应用现状137
6.2 熔体法晶体生长工艺137
6.2.1 直拉法晶体生长工艺137
6.2.2 区熔法晶体生长工艺140
6.2.3 LEC晶体生长工艺142
6.2.4 VB/VGF法晶体生长工艺144
6.3 气相法晶体生长工艺146
6.3.1 PVT法晶体生长工艺146
6.3.2 HVPE法晶体生长工艺148
6.4 晶体生长设备149
6.4.1 直拉单晶生长炉150
6.4.2 区熔单晶生长炉150
6.4.3 LEC单晶生长炉150
6.4.4 VB/VGF单晶生长炉151
6.4.5 PVT法单晶生长炉152
6.4.6 HVPE法单晶生长炉153
6.5 晶体材料生长技术发展趋势154
参考文献154
第7章 晶体材料加工技术155
7.1 概述155
7.1.1 晶体材料加工技术体系155
7.1.2 晶体材料加工技术的应用现状156
7.2 晶体材料加工技术156
7.2.1 断棒156
7.2.2 单晶棒外圆滚磨和定位面的制作156
7.2.3 切片159
7.2.4 倒角160
7.2.5 倒角后晶圆的厚度分选160
7.2.6 晶圆的双面研磨或表面磨削161
7.2.7 化学腐蚀162
7.2.8 腐蚀后晶圆的厚度分选163
7.2.9 抛光163
7.2.10 晶圆清洗165
7.2.11 晶圆测量与包装165
7.3 晶体加工设备166
7.3.1 切片机166
7.3.2 倒角机166
7.3.3 磨抛设备167
7.3.4 清洗设备168
7.4 晶体材料加工技术发展趋势168
参考文献169
第8章 粉体材料制备技术170
8.1 概述170
8.1.1 粉体材料制备技术体系170
8.1.2 粉体材料制备技术的应用现状170
8.2 固相法粉体制备工艺170
8.2.1 配料、混料171
8.2.2 预烧171
8.2.3 磨料172
8.3 液相法粉体制备工艺172
8.3.1 溶胶凝胶法172
8.3.2 水热合成法173
8.3.3 共沉淀法173
8.4 粉体制备工艺设备174
8.4.1 固相法粉体制备工艺设备174
8.4.2 液相法粉体制备工艺设备176
8.5 粉体材料制备技术发展趋势176
参考文献176
第9章 粉体材料成型技术177
9.1 概述177
9.1.1 粉体材料成型技术体系177
9.1.2 粉体材料成型技术的应用现状177
9.2 粉体材料成型工艺177
9.2.1 成型工艺177
9.2.2 烧结工艺179
9.2.3 磨加工工艺180
9.2.4 清洗检验181
9.3 粉体材料加工工艺设备181
9.3.1 成型设备181
9.3.2 烧结设备182
9.3.3 磨加工设备183
9.4 粉体材料加工工艺发展趋势183
参考文献184
第四篇 电子元器件制造工艺技术
第10章 外延工艺186
10.1 概述186
10.1.1 外延工艺技术体系186
10.1.2 外延工艺的应用现状187
10.2 气相外延(VPE)工艺187
10.2.1 Si气相外延188
10.2.2 SiGe气相外延189
10.2.3 GaAs气相外延190
10.2.4 SiC气相外延192
10.3 液相外延(LPE)工艺192
10.3.1 GaAs系液相外延193
10.3.2 InP系液相外延194
10.3.3 HgCdTe系液相外延194
10.4 分子束外延(MBE)工艺195
10.4.1 固态源分子束外延(SSMBE)195
10.4.2 气态源分子束外延(GSMBE)197
10.4.3 有机源分子束外延(MOMBE)197
10.5 金属有机物化学气相淀积外延(MOCVD)工艺198
10.5.1 GaAs/InP系MOCVD198
10.5.2 GaN系MOCVD200
10.6 外延设备201
10.6.1 气相外延(VPE)炉201
10.6.2 液相外延炉201
10.6.3 分子束外延设备202
10.6.4 金属有机物化学气相淀积外延设备202
10.7 外延工艺发展趋势204
参考文献204
第11章 掩模制造与光刻工艺205
11.1 概述205
11.1.1 掩模制造与光刻工艺技术体系205
11.1.2 掩模制造与光刻工艺的应用现状206
11.2 掩模制造工艺206
11.2.1 数据处理206
11.2.2 曝光207
11.2.3 掩模的基板207
11.2.4 掩模制造工艺分类207
11.2.5 掩模质量控制208
11.3 光刻工艺209
11.3.1 预处理209
11.3.2 涂胶210
11.3.3 曝光210
11.3.4 显影214
11.3.5 光刻质量控制215
11.4 掩模和光刻设备217
11.4.1 涂胶显影轨道217
11.4.2 光刻机217
11.4.3 电子束曝光系统217
11.5 掩模制造与光刻工艺发展趋势218
参考文献219
第12章 掺杂工艺220
12.1 概述220
12.1.1 掺杂工艺技术体系220
12.1.2 掺杂工艺的应用现状220
12.2 扩散工艺221
12.2.1 扩散221
12.2.2 常用扩散工艺223
12.2.3 扩散层质量的检验227
12.3 离子注入工艺229
12.3.1 离子注入229
12.3.2 离子注入系统231
12.3.3 离子注入参数233
12.3.4 离子注入工艺与应用233
12.4 掺杂设备235
12.4.1 扩散氧化炉235
12.4.2 离子注入机236
12.4.3 退火炉236
12.5 掺杂工艺发展趋势236
参考文献237
第13章 刻蚀工艺238
13.1 概述238
13.1.1 刻蚀工艺技术体系238
13.1.2 刻蚀工艺的应用现状239
13.2 湿法刻蚀工艺239
13.2.1 硅的刻蚀239
13.2.2 GaAs和InP的各向异性刻蚀242
13.2.3 非半导体薄膜材料的刻蚀244
13.3 干法刻蚀工艺246
13.3.1 干法刻蚀246
13.3.2 等离子刻蚀的工艺参数247
13.3.3 等离子体刻蚀方法249
13.4 刻蚀设备252
13.4.1 等离子刻蚀设备253
13.4.2 离子束刻蚀设备253
13.4.3 反应离子刻蚀机253
13.5 刻蚀工艺发展趋势254
参考文献254
第14章 薄膜生长工艺255
14.1 概述255
14.1.1 薄膜生长工艺技术体系255
14.1.2 薄膜淀积工艺应用现状256
14.2 金属薄膜生长工艺256
14.2.1 真空镀膜256
14.2.2 电镀法261
14.2.3 CVD法262
14.3 介质薄膜生长工艺262
14.3.1

TOP书摘

TOP 其它信息

装  帧:平塑

页  数:968

加载页面用时:93.7187